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3~100V ≦68µF: 1
conforme a UL 639 y ULC-S306
Plano vertical (608-960 MHz): 100° (sin reflector)
Es ideal para modernizaciones
Transistor de Potencia en Silicio tipo NPN, 500 Vc-b, 15 A. 80 Watt, TO-3PM . 190956 3~100V ≦68µF: 1Caractersticas Principales Transistor NPN de silicio para alta potencia Voltaje de colector a base hasta 500 V Corriente mxima de 15 A Capacidad de disipacin hasta 80 Watt Empaque TO 3PN para alta confiabilidad Aplicaciones Reguladores de Switcheo Generadores Ultrasnicos Inversores de Alta Frecuencia Amplificadores de Potencia de Uso General Caractersticas Elctricas VCBO: 500 V (Colector Base) VCEO: 400 V (Colector Emisor) VEBO: 7 V (Emisor Base) IC:
US$ 195000.00
US$ 195000.00
US$ 245000.00
US$ 185000.00
US$ 79000.00
US$ 245000.00
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