Mosfet De Potencia De Canal N De 50 A, 60 V, To-220ab Rg-213/u Perdida de Retorno: > 60

Perdida de Retorno: > 60 dB

(Activación y configuración de protocolo Onvif)

40 mts IR EXIR (visión nocturna)

- Tipo: Pasa DC

Mosfet De Potencia De Canal N De 50 A, 60 V, To-220ab Rg-213/u Perdida de Retorno: > 60Los MOSFET de potencia de canal N se fabrican mediante el proceso MegaFET. Este proceso, que utiliza tamaos de caractersticas similares a los de los circuitos integrados LSI, ofrece una utilizacin ptima del silicio, lo que se traduce en un rendimiento excepcional. Se han diseado para su uso en aplicaciones como reguladores de conmutacin, convertidores de conmutacin, controladores de motores y controladores de rels. Estos transistores pueden funcionar